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一、采購人：松山湖材料實驗室

二、采購項目編號：441900-201903-0099990033-0010

三、采購項目名稱：碳化硅外延生長設備

四、采購項目預算金額（元）：15,000,000.00元

五、擬采購的貨物或者服務的說明

一、碳化硅外延生長設備的技術要求 1.★單片外延生長爐 2.反應室：圓形反應腔室 3.★晶圓尺寸：6英寸兼容4英寸 4.★外延層生長要求：1、具有1次生長100μm厚度的SiC外延生長能力。2、高速生長速率≥60μm/小時, 標準生長率≥30μm/小時。3、背景摻雜濃度≤1E14cm-3。4、n型摻雜濃度：從1E15～1E19 cm-3可控。5、6英寸片內厚度均勻性小于1%，濃度均勻性小于7%（均勻性=δ/均值*100%, 33點, 距邊5mm，濃度在5E15cm-3左右）。6、表面缺陷：≤1/㎝2（厚度0～50μm）；≤1.5/㎝2（厚度51～100μm）。7、表面粗糙度: ≤0.3nm（厚度≤30μm）；≤0.5nm（厚度31～50μm）；≤0.8nm（厚度51～100μm）。表面粗糙度測試范圍：10×10 μm。 5.整體結構：主體設備為分體式結構，傳送腔室和反應腔室可以實現(xiàn)自動分離和閉合功能 6.傳送系統(tǒng)：人工把晶片放入設備中，機械手根據(jù)指令取片至生長室，生長結束后放回。 7.冷卻腔室：備有晶圓冷卻腔室功能 8.工作環(huán)境：溫度25±5℃，濕度<60%，超凈室等級:1000級 9.設備電源：三相380V，或單相220V(以廠家實際為準)，50/60Hz； 10.中頻電源額定功率：400/480V ±5% 3PH 50/60Hz 100KVA, 160A 11.加熱感應線圈：環(huán)形感應線圈外置 12.★平均無故障工作時間MTBF≥200小時 13.★驗收條件： 1、4寸和6英寸SiC襯底，分別按標準生長率≥30μm/小時進行3次生長實驗，按高速生長速率≥60μm/小時進行3次生長實驗（厚度達100um），廠家指定驗收用的SiC襯底。 2、采用上述4寸和6寸襯底，分別進行6次生長實驗均能滿足技術要求第4條外延層生長要求規(guī)定的指標。 14.★如投標人為代理商或經銷商，必須提供所投設備制造商出具的合法代理或經銷授權證明復印件加蓋公章。二、商務要求 1. ★交貨期：合同簽訂后180天內到松山湖材料實驗室。 2. ★付款方式：合同簽訂及中標人遞交設備清單后7天內支付40%；發(fā)貨前30天內支付25%；貨到深圳機場后憑單證支付25%；通過驗收后10天內支付10%尾款。如果由于采購人的廠務原因拖延設備安裝進度而導致驗收推遲，按從設備到達松山湖材料實驗室之日起計算90天內支付10%尾款，但中標人仍保證調試設備通過驗收。 3. ★違約責任： 3.1如延遲交貨，除人力不可抗事故外，假設采購人已經支付前期貨款, 中標人應在一周寬限期后, 付給采購人每一星期按遲交合同貨物總值的0.5％的遲交罰款，不足一星期的以一星期計算，此項罰款總額不超過全部遲交合同貨物總值的5％，在議付貨款時由銀行代為扣除，或由采購人付款時進行扣除。如延遲交貨超過原定期十周時，采購人有權終止合同。但中標人仍應向采購人繳付以上規(guī)定之罰款，不得推諉或延遲，并退還給采購人全部的前期貨款。 3.2采購人逾期付款的，每逾期一周，應向中標人支付合同金額0.5%的違約金，不足一周的以一周計算，此項罰款總額不超過合同總金額的5％。如延遲付款超過原定期十周時，中標人有權終止合同。但采購人仍應向中標人繳付以上規(guī)定之罰款，不得推諉或延遲。 4. ★技術服務及其它： 4.1技術文件：中標人應提供全套、完整的書面技術資料，包括設備說明書、操作手冊、簡單維修說明、結構圖及電路總框圖等。 4.2 設備安裝、調試和驗收：中標人在合同生效后的1個月內向采購人提供詳細的安裝要求并提供技術咨詢；在設備到達前1個月，中標人應通知采購人水、電、氣及其他設備必備輔助設施的具體要求，從而讓采購人提前做好設備安裝準備。設備到達采購人所在地，在接到采購人通知后一周內進行安裝調試，直至通過驗收。 4.4技術培訓：在采購人所在地對設備使用者2-3人進行設備操作和維護進行培訓，使被培訓人員達到能夠熟練使用。培訓內容包括設備的技術原理、操作、數(shù)據(jù)處理、基本維護等。 4.5保修期：中標人提供1年的免費整機保修,保修期自設備驗收簽字之日起計算。 4.6維修響應時間：在保修期內，中標人工程師在收到采購人的維修服務要求后4小時內做出回應，48小時內到達用戶現(xiàn)場進行維修，除需進口設備配件外，應使設備恢復正常使用。 4.7維修服務：設備驗收后20年內，中標人提供設備維修服務。 4.8軟件升級：中標人免費向采購人提供在硬件許可條件下的軟件升級服務。

六、采用單一來源采購方式的原因及相關說明：

碳化硅外延生長設備主要參數(shù)要求：(1) 單片外延生長設備，托盤尺寸兼容4英寸和6英寸；（2）具有1次生長100μm厚的SiC外延層的生長能力,其標準生長速率不低于30μm/小時，高速生長速率不低于60μm/小時；（3）背景摻雜濃度不超過1E14cm-3, n型摻雜濃度從1E15～1E19 cm-3可控；(4) 6英寸片內厚度均勻性小于1%，濃度均勻性小于7%（均勻性=δ/均值*100%, 33 點, 距邊5mm，濃度在5E15cm-3左右）；（5）外延膜表面缺陷：厚度為0～50μm 時不高于1/㎝2, 厚度51～100μm時不高于1.5/㎝2；（6）表面粗糙度：厚度≤30μm時不高于0.3nm；厚度31～50μm時不高于0.5nm；厚度51～100μm時不高于0.8nm。目前能夠滿足上述要求的并且設備可靠性高、穩(wěn)定性好的設備只有意大利LPE公司生產的PE1O6型碳化硅外延設備，該設備的可靠性和穩(wěn)定性能夠滿足采購人的需求。目前在國內只有洛佩詩（上海）國際貿易有限公司代理此設備?；谝陨峡紤]，根據(jù)《政府采購法》第三十一條符合下列情形之一的貨物或者服務，可以依照本法采用單一來源方式采購：（一）只能從唯一供應商處采購的。本項目擬采用單一來源采購方式，現(xiàn)根據(jù)相關法律法規(guī)的要求，進行單一來源采購征求意見公示。

七、擬定的唯一供應商名稱、地址：

八、專家論證意見：

（一）各專家對相關供應商因專利、專有技術等原因具有唯一性的具體論證意見，專家的姓名、工作單位和職稱：

專家1：張峰、中國科學院半導體研究所，職稱：研究員；專家2：郝維昌、北京航天航空大學，職稱：教授；專家3：劉泉林、北京科技大學，職稱：教授。論證委員會一致認為洛佩詩（上海）國際貿易有限公司作為碳化硅外延生長設備的唯一供應商。

（二）專家小組綜合意見：

論證委員會一致認為洛佩詩（上海）國際貿易有限公司作為碳化硅外延生長設備的唯一供應商。

九、本公示期限（不得少于5個工作日）自2019 年 06 月 03 日 至 2019 年 06 月 11 日 止。

十、聯(lián)系事項

發(fā)布人：東莞市粵隆招標有限公司